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参数目录41761
> IRF6646TR1PBF MOSFET N-CH 80V 12A DIRECTFET
型号:
IRF6646TR1PBF
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
International Rectifier
描述:
MOSFET N-CH 80V 12A DIRECTFET
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
IRF6646TR1PBF PDF
产品目录绘图
IR Hexfet Circuit
IR Hexfet Circuit
DirectFET
标准包装
1
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
80V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
12A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
9.5 毫欧 @ 12A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
4.9V @ 150µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
50nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
2060pF @ 25V
功率 - 最大
2.8W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
DirectFET? 等容 MN
供应商设备封装
DIRECTFET? MN
包装
标准包装
产品目录页面
1525 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
IRF6646TR1PBFDKR
查看IRF6646TR1PBF代理商
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